三星電子已與長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成技術(shù)合作，計(jì)劃于今年下半年開(kāi)始運(yùn)用中國(guó)的存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)制造芯片。近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽訂了關(guān)于NAND Flash“混合鍵合”技術(shù)的專(zhuān)利許可協(xié)議，該技術(shù)是實(shí)現(xiàn)400多層堆疊的關(guān)鍵。

三星預(yù)計(jì)將在2025年下半年，利用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)，開(kāi)始量產(chǎn)下一代V10 NAND芯片。此次三星選擇引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)，主要因?yàn)楹笳咴凇盎旌湘I合”技術(shù)上處于世界領(lǐng)先地位。

經(jīng)過(guò)內(nèi)部評(píng)估，三星認(rèn)為從V10 NAND起，其技術(shù)發(fā)展已無(wú)法回避長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)影響。這一合作不僅代表了國(guó)際科技巨頭對(duì)中國(guó)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可，也展示了中國(guó)在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步和實(shí)力，標(biāo)志著中國(guó)科技自主創(chuàng)新的顯著成果。

樂(lè)玩編輯部
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